Номер виробника : | W63CH2MBVACE | Статус RoHs : | |
---|---|---|---|
Виробник / марка : | Winbond Electronics Corporation | Стан запасу : | - |
Опис : | IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA | Корабель від : | Гонконг |
Технічні таблиці : | W63CH2MBVACE(1).pdfW63CH2MBVACE(2).pdfW63CH2MBVACE(3).pdf | Шлях відвантаження : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Деталі | W63CH2MBVACE |
---|---|
Виробник | Winbond Electronics Corporation |
Опис | IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA |
Статус безкоштовного статусу / RoHS | |
Кількість доступних | В наявності |
Технічні таблиці | W63CH2MBVACE(1).pdfW63CH2MBVACE(2).pdfW63CH2MBVACE(3).pdf |
Напишіть цикл часу - слово, сторінка | 15ns |
Напруга - Постачання | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологія | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Пакет пристрою постачальника | 178-VFBGA (11x11.5) |
Серія | - |
Пакет / Корпус | 178-VFBGA |
Пакет | Tray |
Робоча температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип монтажу | Surface Mount |
Тип пам'яті | Volatile |
Розмір пам'яті | 4Gbit |
Організація пам’яті | 128M x 32 |
Інтерфейс пам'яті | Parallel |
Формат пам'яті | DRAM |
Часова частота | 933 MHz |
Базовий номер товару | W63CH2 |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA