Американський запуск призначення 2D: Досягнення 2D взаємозв'язок графену в процесі вафель CMOS
Dec 10,2024
Стартап у США досяг синтезу високоякісного графену в процесі вафельних виробів на 300 мм.Destination 2D, штаб-квартира в Каліфорнії, являє собою перший двовимірний (2D) матеріал у основних продуктах напівпровідника.
На ширинах лінії нижче 15 нм, опір мідних з'єднань швидко збільшується, що призводить до значного зниження продуктивності ланцюга та системного рівня, енергоспоживання та значно впливаючи на всі показники надійності, необхідні для сучасних напівпровідникових конструкцій, таких як GPU, процесори тощо
Синтез графену великої площі, як правило, включає хімічне осадження пари (ССЗ), що вимагає високих температур, що значно перевищують тепловий бюджет, дозволений для виробництва CMOS, а також вимагає механічного перенесення графену, вирощеного на металевих підкладках, до діелектричних субстратів.
Первісний одношаровий графен-це напівметал з низькою щільністю носія заряду, що призводить до високого опору листа, що ще більше обмежує його потенціал для прямого застосування в додатках взаємозв'язку.Тому для додатків взаємозв'язку потрібні багатошарові контактні графен та відповідний допінг інтеркаляції.
Ця теорія вперше була експериментально підтверджена професором Кауства Банерджі, головним директором з технологій Destination 2D та його командою в Санта -Барбарі, США.Потім вони піонерували технологію дифузії твердотільного тиску для синтезу багатошарового графену безпосередньо на діелектричних субстратах при сумісних з CMOS температури.
Інновація Destination 2D CMOS, сумісна з конструктивними конструкціями, досягається за допомогою багатошарового графена з інтеркаляційним допінгом та контактом краю, що призводить до зниження опору, значно підвищеного надійності та до 80% економії енергії порівняно з мідними взаємозв'язками.
Техніка синтезу, сумісного з CMOS, дозволяє проводити прямий синтез графену на діелектричних субстратах рівня вафель при температурі, що значно нижче теплового бюджету CMOS.Все це було досягнуто без проблем з бойовиками та розтріскуванням, які зазнавали попередніх зусиль щодо комерціалізації графена CMOS.
Все це призвело до того, щоб засновник Banerjee та Ravi Iyengar Co Co Co, причому Раві Іенгар виконує функції генерального директора.Він досвідчений напівпровідниковий мікропроцесорний дизайнер і з тих пір став серійним підприємцем.
Команда з інженерії обладнання під керівництвом головного директора з продуктів Дейв Сільветті вкладає кілька найсучасніших проектів обладнання CMOS технологій CMOS у масове виробництво, починаючи з Coolc GT300.Це дозволяє фірмовому процесу синтезу графену призначення 2D, уникаючи теплових проблем, які традиційно перешкоджали застосуванню графену в CMOS.
Покриття графену на рівні вафену, досягнуте за допомогою пункту призначення 2D, використовуючи безкоштовний процес передачі низькотемпературного передачі, сумісний з Beol Markі мікросхеми для зберігання - можуть глибоко змінити перспективи штучного інтелекту та інших обчислювальних інтенсивних додатків
На ширинах лінії нижче 15 нм, опір мідних з'єднань швидко збільшується, що призводить до значного зниження продуктивності ланцюга та системного рівня, енергоспоживання та значно впливаючи на всі показники надійності, необхідні для сучасних напівпровідникових конструкцій, таких як GPU, процесори тощо
Синтез графену великої площі, як правило, включає хімічне осадження пари (ССЗ), що вимагає високих температур, що значно перевищують тепловий бюджет, дозволений для виробництва CMOS, а також вимагає механічного перенесення графену, вирощеного на металевих підкладках, до діелектричних субстратів.
Первісний одношаровий графен-це напівметал з низькою щільністю носія заряду, що призводить до високого опору листа, що ще більше обмежує його потенціал для прямого застосування в додатках взаємозв'язку.Тому для додатків взаємозв'язку потрібні багатошарові контактні графен та відповідний допінг інтеркаляції.
Ця теорія вперше була експериментально підтверджена професором Кауства Банерджі, головним директором з технологій Destination 2D та його командою в Санта -Барбарі, США.Потім вони піонерували технологію дифузії твердотільного тиску для синтезу багатошарового графену безпосередньо на діелектричних субстратах при сумісних з CMOS температури.
Інновація Destination 2D CMOS, сумісна з конструктивними конструкціями, досягається за допомогою багатошарового графена з інтеркаляційним допінгом та контактом краю, що призводить до зниження опору, значно підвищеного надійності та до 80% економії енергії порівняно з мідними взаємозв'язками.
Техніка синтезу, сумісного з CMOS, дозволяє проводити прямий синтез графену на діелектричних субстратах рівня вафель при температурі, що значно нижче теплового бюджету CMOS.Все це було досягнуто без проблем з бойовиками та розтріскуванням, які зазнавали попередніх зусиль щодо комерціалізації графена CMOS.
Все це призвело до того, щоб засновник Banerjee та Ravi Iyengar Co Co Co, причому Раві Іенгар виконує функції генерального директора.Він досвідчений напівпровідниковий мікропроцесорний дизайнер і з тих пір став серійним підприємцем.
Команда з інженерії обладнання під керівництвом головного директора з продуктів Дейв Сільветті вкладає кілька найсучасніших проектів обладнання CMOS технологій CMOS у масове виробництво, починаючи з Coolc GT300.Це дозволяє фірмовому процесу синтезу графену призначення 2D, уникаючи теплових проблем, які традиційно перешкоджали застосуванню графену в CMOS.
Покриття графену на рівні вафену, досягнуте за допомогою пункту призначення 2D, використовуючи безкоштовний процес передачі низькотемпературного передачі, сумісний з Beol Markі мікросхеми для зберігання - можуть глибоко змінити перспективи штучного інтелекту та інших обчислювальних інтенсивних додатків